目前微电子产业己逐渐演变为设计，制造和封装三个相对独立的产业。电路设计中心掩膜制作厂硅原料电路设计CADTapeReticle拉单晶切割晶片投入氧化光阻掩膜投入业研磨刻号CVD影金属蒸镀蚀刻清洗清...

ULSI中对光刻的基本要求①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高，曝...

单晶硅简介*硅(S)材料是信息技术、电子技术和光伏技术最重要的基础材料。*从某种意义上讲，硅是影响国家未来在高新技术和能源领域实力的战略资源。*作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的，...

口布里奇曼Bridgman法GaAs口直拉生长Czochralski法GaAs单晶硅口区熔生长单晶硅

4.1半导体单晶的制造单晶治炼和晶圆制造过程蒸馏与还原起始材料多晶半导体石英岩（高纯硅砂）Si/SiO2晶体生长研磨、切割、地光晶棒晶圆单晶半导体晶锭制造硅的起始材料是一种被称为石英岩的高纯...

组成&结构CPU设计的两种方法：硬布线逻辑控制(hardwired control)微序列控制器(microsequencer)(微序列控制或微程序控制)

半导体制备工艺原理第一章晶体生长一、衬底材料的类型l.元素半导体Si、Ge..2.化合物半导体GaAs、SiC、GaN..

SIPIVT晶体结构晶体可分为单晶和多晶，若在整块材料中，原子都是规则的、周期性的重复排列的，一种结构贯穿整体，这样的晶体称为单晶，如石英单晶，硅单晶，岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶...

高职高专“干二五”电子信息类专亚规划教材半导体制造工艺半中体制造工艺张渊主编⊙机械工业出版社Y CHINA MACHINE PRESSwww.cmpedu.com

内容·多晶硅原料制备技术·石英坩埚的制备技术·硅单晶生长方法·单晶硅生长过程的技术要点