集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
ULSI中对光刻的基本要求①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志,线宽越来越细,要求光刻具有高分辨率。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高,曝...
医疗纠纷案例律师业务
新版“律师业务必备”从书中华全国律师协会市定·中华全国律师协会经济专业委员会推荐最·权·威·的·中国·律·师·业·务·指·南法律出版社决定从2006年起,结合中国律师面临的新的执业环境...
666化学机械抛光技术的研究进展
第6期雷红,等:化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高,表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...
集成电路封装与测试(一)
课程大纲第一章集成电路芯片封装概述基础部分第二章封装工艺流程第三章厚/薄膜技术材料部分第四章焊接材料第五章印刷电路板基板部分第六章元器件与电路板的结合第七章封胶材料与技术封装部分第...
第2章–半导体材料
SIPIVT晶体结构晶体可分为单晶和多晶,若在整块材料中,原子都是规则的、周期性的重复排列的,一种结构贯穿整体,这样的晶体称为单晶,如石英单晶,硅单晶,岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶...