芯片封装测试流程详解
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半导体缺陷解析及中英文术语一览
6.嵌晶:在绪单晶内部存在与基体取向不同的小晶体。7.化学抛光:液配比:HF(40%):HNO3(65%-68%)=1:3(体积比)抛光的时间依不同为2-5min。抛光的温度不宜过高,样品不能暴露空气中,防止氧化。8....
向65nm工艺提升中的半导体清洗技术
电子工业专用设备专题报道Equipment for Electronic Products ManufacturingEPE向下一代65m技术节点迈进中,新结构、新靠性不会因污染的影响而下降。此外,湿法批处理材料对于清洗设备不断提出...
集成电路设计的现状与未来
集成电路发展的特点1)摩尔定律:1C集成度每18个月增加一倍特征线宽每3年缩小30%2)集成电路一直是工业领先与理论工艺制造领先与设计的领域3)电子产品中集成电路所占成本从5一10%增加到30%一35%