半导体缺陷解析及中英文术语一览

6.嵌晶：在绪单晶内部存在与基体取向不同的小晶体。7.化学抛光：液配比：HF(40%):HNO3(65%-68%)=1:3(体积比)抛光的时间依不同为2-5min。抛光的温度不宜过高，样品不能暴露空气中，防止氧化。8.多晶：晶体中出现多个取向不同的单晶体。在单晶的横断面上经研磨或化学腐蚀后呈现多个金属光泽不同的区域。二、机械加工缺陷1机械应力缺陷：在机械加工时，所切片子表面会引入机械应力缺陷，严重时，即使研磨后表面上已看不到损伤痕迹，但经化学腐蚀后又会呈现这种缺陷，也可能会引起位错。切割刀痕：切割加工时的刀具痕迹。产生原因：刀具不平整，加工时有较大摆动，金刚石颗粒不均匀以及进刀速度过快。2根部崩裂：片子边缘沿着刀痕有呈现圆弧状的断裂。产生原因：刀片安装不当，进刀速度过快，使晶片未被切割到底就崩裂。3斜片：晶片两个表面不平行，经过研磨后某一区域未能磨到，称为斜片。产生原因：刀片安装太松，进刀速度太快，切割阻力超过刀片本身的张力时，引起刀片侧向移动，造成斜片。4凹片与凸片：产生原因；刀片安装过松，进刀速度过快，抛光时，晶片受温度影响变形。5.划痕：晶片在研磨或抛光过程中，出现明显的划伤痕迹。产生原因；磨粉或抛光粉中混入较大硬质颗粒或晶片碎片，机械抛光沥青盘局部太硬。6裂纹：晶片或晶体内存在微小的缝隙。产生原因：热应力或机械应力。7.崩边：晶片边缘呈现单面局部破损。产生原因：在划片、腐蚀、清洗、分选及包装等工艺过程中，由于边缘受冲击力造成边缘崩边。8缺口与缺角：晶片边缘呈现贯穿两面的局部破损。产生原因：在划片、腐蚀、清洗、分选及包装等工艺过程中，由于边缘受冲击力造成边缘崩边。