第02章-半导体制造工艺
提纲中国斜学我术大学University of Science and Technology of China硅制造·光刻技术·氧化物生长和去除·扩散和离子注入·硅淀积和刻蚀·金属化·组装2
ARM体系结构详解(我上课时老师的100多页PPT课件)
本节提要1嵌入式微处理器概述2ARM体系结构概览3ARM编程模型ARM异常处理2PDF文件使用'pdfFactory Pro”试用版本创建匹fineprint.cn
半导体单晶抛光片清洗工艺分析
赵权:半导体单晶抛光片清洗工艺分析清洗技术水平有一定的指导作用。的Si被NHOH腐蚀,因此附着在Si片表面的颗粒便落入到清洗液中,从而达到去除颗粒的目的。2清洗工艺③HPM清洗半导体材料抛光片...
集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
ULSI中对光刻的基本要求①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志,线宽越来越细,要求光刻具有高分辨率。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高,曝...
666化学机械抛光技术的研究进展
第6期雷红,等:化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高,表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...