半导体单晶抛光片清洗工艺分析

赵权：半导体单晶抛光片清洗工艺分析清洗技术水平有一定的指导作用。的Si被NHOH腐蚀，因此附着在Si片表面的颗粒便落入到清洗液中，从而达到去除颗粒的目的。2清洗工艺③HPM清洗半导体材料抛光片的清洗工艺因其氧化物种HM清洗液由HC,O2,HO组成，主要去类、数量、性质的差异而不同。下面给出了S,除Si片表面碱金属沾污，如：a,Fe,Mg,A等。GaAs,Ge抛光片的具体清洗工艺。由于Si片表面的SiO2与Si片表面的Si不能被腐①Sí单晶抛光片清洗工艺蚀，因此HM不能起到去除Si片表面颗粒的作清洗方案：DHF-APM-HPM用。DHF:VHF :VHO =1 :100;通过上述三步清洗工艺后，抛光片表面沾污的APM:VNHOH VHO,:VHO =1 2 20;有机物、颗粒、金属离子被清洗干净。但由于HPM:VoV9VHo=116。HPM之后抛光片表面呈疏水表面，所以在HM清②GaAs抛光片清洗工艺洗之后要进行兆声波清洗，保证抛光片表面的清洁状态。清洗方案：OH清洗一→紫外光+O清洗一酸性活性剂清洗。3.2GaAs抛光片清洗机理抛光工艺结束后，GAs片表面产生了一层自③Ge单晶抛光片消洗工艺然氧化膜，这一层自然氧化膜由GO3,AszO3和清洗方案：浓硫酸稀硫酸AM。As2Os组成。由于G要比As活泼，氧化速度快，3分析与讨论GaAs表面往往形成富Ga表面。这种表面自然氧化层很厚，晶体完整性较差。最好的抛光片表面要求3.1S抛光片清洗机理Ga和As的原子比为11。因此在GaAs抛光片清洗抛光结束后，抛光片表面的断裂键力场很强，过程中，应尽量使抛光片表面的GzO3和As03之极易吸附抛光环境中的各种污染物，抛光片表面比趋于平衡，以提高GAs抛光片的表面质量。沉积污染物一般有颗粒、金属、有机物、湿气分子①KOH溶液清洗和自然氧化膜。因为有机物会遮盖部分片表面，清洗的第一步首先是要去除富G的自然氧化使氧化层和与之相关的沾污难以去除，清洗的思路层。因为GO3,As2O3和As2O5都很容易和KOH是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层，最溶液发生反应，所以一般采用极稀的DH溶液去后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化2)]。除自然氧化层。GAs和稀释的OH溶液不发生化①DHF清洗学反应，所以OH溶液不会损伤抛光片表面。同DH亚可以去除S片表面的自然氧化膜，附着时在碱性环境里，GAs抛光片容易形成亲水表面，在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，因此有利于抛光片表面颗粒的去除。可以很容易地去除Si片表面的Al,Fe,Zn,Ni等②紫外光+0，清洗金属。由于出O2的作用，在Si片表面不断形成新自然氧化膜去掉后，就要及时生长稳定的氧化的氧化膜，新的氧化膜又不断被腐蚀，最终将S膜。紫外光激发下，O3不仅能够使GAs表面生成片表面的金属离子大部分去除。用DHF清洗S片氧化膜，同时还能有效地清除抛光片表面的有机沾后，H离子和S片表面的断裂键结合，S片最外污。短时间内生成的氧化膜中的G、As比也可以端的S几乎都以H为终端，故S片呈疏水表面，与基体完全保持一致]。清洗基本过程如下。不利于表面颗粒的去除。首先，紫外光激发气体O2和O的反应。②APM清洗02+h0+0APM清洗液由NHOH,O2,O组成。由0+0203于hO2的作用，S片表面有一层自然氧化膜03+M0+02(SO2)呈亲水性，S片表面和颗粒之间可用清洗然后，在紫外光照射下，激发的气体分子和GAs液浸透。由于S片表面的自然氧化层与S片表面表面反应产生氧化物。1050半导体技术第32卷第12期2007年12月1994-2008 China Academic Journal Electronic Publishing House.All rights reserved.htp://www.cnki.net