第6期雷红，等：化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高，表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...

Ⅲ族元素，如硼、铝等，就会形成P型导电材料。拉制单晶的电阻率值是由被选择的参杂元素的掺入量来确定的，惨杂元素的惨入量越大，单晶的电阻率越低，掺入量很大的低电阻率单晶，称为重渗硅单晶...

第2期苏文佳等：单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟5251引言直拉法即CZ法)晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。对于太阳电池来说，最重要的是降低单晶棒的成...

慢的原子密排面：晶体的棱边就是这些{111}晶面的交线。由上所述，我们很容易由晶体的外形判定它们的晶向：如沿晶向直拉生长的硅单晶体有三条对称分布的棱。单晶的生长方向为：若将籽晶对着自己...

第一章半导体衬底第二章氧化第三章扩散第四章离子注入第五章光刻第六章刻蚀第七章化学气相沉积第八章化学机械化平坦第九章金属化工艺第十章CMOS工艺流程

大批组件封装企业纷纷涌现，无论是电池生产规模还是组件生产规模，都迅速向世界光伏制造大国迈进，2002年中国光伏制造首次跻身世界10强，电池和组件产量均位居世界第七；2003年中国电池产量和组...

(接前页)广散炉描杂工艺设备离子注入机中间测试设备探针测试台晶片减薄机划片机粘片机组装与封装设备号线建合机塑封玉机，陶瓷鞋封装连式炉成品测侧试设备IC视侧试系统图2.2一半导体与集成电路...