半导体装用设备简介

(接前页)广散炉描杂工艺设备离子注入机中间测试设备探针测试台晶片减薄机划片机粘片机组装与封装设备号线建合机塑封玉机，陶瓷鞋封装连式炉成品测侧试设备IC视侧试系统图2.2一半导体与集成电路工艺关键设备框图（续）2单晶炉2.1基本概念及工作原理晶体生长最广泛使用的设备是采用CZ(Czochralski)法的直拉单晶炉。它主要由主/副炉室、石英坩埚及驱动、籽晶旋转及提升、真空及充气系统、射频或电阻加热器和控制系统等部分组成，如图2.3所示。生长单晶硅，首先将提纯的多晶硅块和少量糁杂材料(B:或P:)装入炉室内的石英坩埚中，待抽真空或充入惰性气体后用加热器加热使多晶硅块和摻杂材料熔化，控制炉温在硅熔点温度(1420℃)使保持液态熔体，即可将籽晶安置到刚接触到液面的位置。随着籽晶从熔41因体表面旋转并缓慢提升，一层硅原子定向结晶~架字划成籽晶同样的晶体结构，摻杂材料的原子也进下入生长的晶体中。通过引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾等一系列操作，在外加磁场的作.4品花用下抑制熔体内的热对流，从而拉制出高质量的N型或P型单晶锭。士直拉单晶炉在应用中演化出液封直拉单百实州妈晶炉、场直拉单晶炉等多种单晶拉制设备。液片二水去州高马图2.3一直拉单晶炉结构示意图