目录集成电路芯片设计芯片设计前端流程3芯片设计过程分析4晶元初步制造●

硅片的表面起伏问题与解决方案→化学机械平坦化CMPCMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨

慢的原子密排面：晶体的棱边就是这些{111}晶面的交线。由上所述，我们很容易由晶体的外形判定它们的晶向：如沿晶向直拉生长的硅单晶体有三条对称分布的棱。单晶的生长方向为：若将籽晶对着自己...

本讲课程内容+键合技术↓精密视觉技术+卷到卷传输控制技术+高速高精运动控制技术国际半导体技术发展趋势·多样性More than Moore:DiversificationAnalog/RFBiochips90nmNon-digitalcontent化65n...

第二章直拉单晶炉。直拉单晶炉是用于直拉法单晶生长的设备。©炉子分两部分组成：机械部分和电控系统。。炉体为一带水套的不锈钢炉室，其内装有由石墨加热器和石墨保温套构成的热场。。籽晶轴和...

第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的...

膜片最好，方形次之9.由于方形几何形状对称，很的表面，掺杂浓度不仅影响压阻系数值，而且还影响容易进行晶体切割，且有研究表明在固定面积下，弹压阻系数随温度变化的剧烈程度.当扩散电阻表面...

基本过程·晶园制作-Wafer Creation·芯片制作-Chip Creation·后封装-Chip Packaging

化学机械抛光技术及SO2抛光浆料研究进展/宋晓岚等·23·如Pietsch等报道了对SiO2抛光机理的研究)，Hayashi等研究(2)缺口深度大于表面层厚度（ω>t)了氧化物抛光机理：也有不少关于抛光浆料特性...

第2期苏文佳等：单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟5251引言直拉法即CZ法)晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。对于太阳电池来说，最重要的是降低单晶棒的成...