集成电路封装测试与可靠性典型的C封装工艺流程Wafer InWire BondSolder Plating(WB引线键合)(SP锡铅电镀)业Wafer GrindingDie CoatingTop Mark(WG研磨)①C晶粒封胶/涂覆)(TM正面印码)Wafer SawM...

IC Process FlowCustomer客户IC DesignSMTIC设计IC组装Wafer FabWafer ProbeAssembly&Test晶圆制造品圆测试IC封装测试

Ⅲ族元素，如硼、铝等，就会形成P型导电材料。拉制单晶的电阻率值是由被选择的参杂元素的掺入量来确定的，惨杂元素的惨入量越大，单晶的电阻率越低，掺入量很大的低电阻率单晶，称为重渗硅单晶...

imart360震坤行Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺简介Al right reserved Shanghai Imart 360

制造技术IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个独RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、绝缘...

硅片的表面起伏问题与解决方案→化学机械平坦化CMPCMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨

AbstractAbstractLiu Hainan (Microelectronics and Solid-State Electronics)Directed by Professor Zhou YumeiAs the design of IC go into larger and faster,the issue about power consump...

SPCBulk Gas SystemPurifierAfter FilterPure Gas to FabPurifierTankBefore FilterVaporizerGeneral Gasto FabRev.8902-B

第五单元工艺集成与封装测试第12章工艺集成第13章工艺监控第14章封装与测试第五单元工艺集成与封装测试2

第1页 / 共60页第2页 / 共60页第3页 / 共60页试读已结束，还剩57页，您可下载完整版后进行离线阅读