2集成电路与微电子材料与物理系统微电子电路广义与狭义器件与工艺集成电路设计工具电路与系统工艺©2014 NJUPTConfidential

OutlineCMP OverviewAMAT Tool,Mirra-MesaCMP ConsumableSlurryPolish PadDiamond DiskCMP ProcessSTI,ILD and IMD CMPPoly CMP>Tungsten CMPCopper CMP

4.1半导体单晶的制造单晶治炼和晶圆制造过程蒸馏与还原起始材料多晶半导体石英岩（高纯硅砂）Si/SiO2晶体生长研磨、切割、地光晶棒晶圆单晶半导体晶锭制造硅的起始材料是一种被称为石英岩的高纯...

大批组件封装企业纷纷涌现，无论是电池生产规模还是组件生产规模，都迅速向世界光伏制造大国迈进，2002年中国光伏制造首次跻身世界10强，电池和组件产量均位居世界第七；2003年中国电池产量和组...

Plasma SchematioA partially ionized gascreated by application of anelectric field.Positiveneutralsion/electron pairs areglow(radicals,unreacted gas)Sheathcreated by ionizationdisch...

第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的...

参考书籍《集成电路芯片封装技术》李可为著，电子工业出版社出版《微电子器件封装-封装材料与封装技术》周良知著，化学工业出版社出版■相关的文献

课程大纲1.叙述目前半导体工业的经济规模与工业基础。2.说明IC结构，并且列出5个积体年代。3.讨论品圆及制造晶圆的5个主要阶段。4.叙述与讨论晶圆制造的改进技术之3项重要趋势。5.说明临界尺寸(...

膜片最好，方形次之9.由于方形几何形状对称，很的表面，掺杂浓度不仅影响压阻系数值，而且还影响容易进行晶体切割，且有研究表明在固定面积下，弹压阻系数随温度变化的剧烈程度.当扩散电阻表面...

DFDiffusion扩散组织名称FABDIWDe-ionized Water去离子水水处理系统FACDLDirect Line直接员工DODissolved Oxygen溶解氧水处理系统FACDUVDeep ultraviolet深紫外线PHDynamicUninterruptablePower...