DSM Physical Effect Dominance☐interconnect圆Intrinsic80-90%0fTotal Delays1.000.800.500.400.300.25Process GeometryData Courtesy ofToshiba America Electronic Components此外，当进入0...

移动电源架构←一充电管理←5VUSB输入LI-BAT5V5V升压过流保护USB输出手电筒键多控(MCU)◆充电管理和升压是基本功能◆可附加手电筒及MCU一键多控功能致新科技股份有限公司Global Mixed-mode Tech...

2003年3月李福泉等：倒装芯片凸点制作方法63倒装芯片钎料凸点对钎料材料选择通常要求有割。化学腐蚀模板比较便宜，但精度不高。电镀和良好的重熔性能，由于其在重熔过程中具有自对准激光切割模...

OutlineCMP OverviewAMAT Tool,Mirra-MesaCMP ConsumableSlurryPolish PadDiamond DiskCMP ProcessSTI,ILD and IMD CMPPoly CMP>Tungsten CMPCopper CMP

赵权：半导体单晶抛光片清洗工艺分析清洗技术水平有一定的指导作用。的Si被NHOH腐蚀，因此附着在Si片表面的颗粒便落入到清洗液中，从而达到去除颗粒的目的。2清洗工艺③HPM清洗半导体材料抛光片...

第6期雷红，等：化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高，表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...

生长技术体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料，半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999%)的单晶硅■外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。...

暨南大学信良学院电子工程系INAN UNIVERSITY黄君凯教授国

IC Process FlowCustomer客户IC DesignSMTIC设计IC组装Wafer FabWafer ProbeAssembly&Test晶圆制造品圆测试IC封装测试

集成电路发展的特点1)摩尔定律：1C集成度每18个月增加一倍特征线宽每3年缩小30%2)集成电路一直是工业领先与理论工艺制造领先与设计的领域3)电子产品中集成电路所占成本从5一10%增加到30%一35%