12.1集成电路在芯片测试技术设计错误测试设计错误测试的主要目的是发现并定位设计错误，从而达到修改设计，最终消除设计错误的目的。设计错误的主要特，点是同一设计在制造后的所有芯片中都存在...

半导体元件制造过程可分为。前段t(Front End)制程晶圆处理制程(Wafer Fabrication;简称Wafer Fab)晶圆针测制程(Wafer Probe);·後段(Back End)构装(Packaging)、测试制程(Initial Test and Fina...

2004年3月中芯在美国纽约证券交易所和香港联合交易所同时挂牌上市2005年3月四厂量产2006年1月九厂量产，中芯获索尼绿色伙伴认证2006年3月中芯获绿色产品管理体系认证，成都封装测试厂量产2007年...

抗辩情形二、对借款合意的抗辩审查抗辩事由审查要点1、借款协议有无被告签字及被告签字的真实性，在原告完成初步举证后，若被告主张签名系伪造，则原则上应由被告申请笔迹鉴定：2、有无款项交付...

Outline·Why Calibrate?Calibration Techniques目-Resistor Calibration-RC Time Constant Calibration-VCO Calibration-Automatic Frequency Control (Agile Frequency Offset Calibration)-Q...

EPE电子工业专用设备Equipment for Electronic Products Manufacturing专题报道·水冲洗，依次去除晶圆表面各杂质。半导体湿法清洗工艺中，常用的清洗腐蚀液见从设备方面，自动清洗设备与手动清...

目录集成电路芯片设计芯片设计前端流程3芯片设计过程分析4晶元初步制造●

Outline1.IC Typical Schematic2.PVD Technology3.AlCu PVD4.Salicide PVD5.Barrier PVD6.WCVD

半导体制备工艺原理第一章晶体生长一、衬底材料的类型l.元素半导体Si、Ge..2.化合物半导体GaAs、SiC、GaN..

由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5圆边(Edge Profiling】由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为...