半导体晶圆的生产工艺流程介绍

由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5圆边(Edge Profiling】由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。·6研磨(Lapping】研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。7蚀刻(Etching)以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层。8去疵(Gettering】用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利于后序加工。9抛光(Polishing】对晶片的边缘和表面进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得极佳的表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工。10清洗(Cleaning】将加工完成的晶片进行最后的彻底清洗、风干。11检验(Inspection)】进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状，表面光洁度、平整度等技术指标。12包装(Packing】将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往以下的芯片制造车间或出厂发往订货客户。