12.1集成电路在芯片测试技术设计错误测试设计错误测试的主要目的是发现并定位设计错误，从而达到修改设计，最终消除设计错误的目的。设计错误的主要特，点是同一设计在制造后的所有芯片中都存在...

半导体元件制造过程可分为。前段t(Front End)制程晶圆处理制程(Wafer Fabrication;简称Wafer Fab)晶圆针测制程(Wafer Probe);·後段(Back End)构装(Packaging)、测试制程(Initial Test and Fina...

Outline·Why Calibrate?Calibration Techniques目-Resistor Calibration-RC Time Constant Calibration-VCO Calibration-Automatic Frequency Control (Agile Frequency Offset Calibration)-Q...

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目录集成电路芯片设计芯片设计前端流程3芯片设计过程分析4晶元初步制造●

Outline1.IC Typical Schematic2.PVD Technology3.AlCu PVD4.Salicide PVD5.Barrier PVD6.WCVD

半导体制备工艺原理第一章晶体生长一、衬底材料的类型l.元素半导体Si、Ge..2.化合物半导体GaAs、SiC、GaN..

(接前页)广散炉描杂工艺设备离子注入机中间测试设备探针测试台晶片减薄机划片机粘片机组装与封装设备号线建合机塑封玉机，陶瓷鞋封装连式炉成品测侧试设备IC视侧试系统图2.2一半导体与集成电路...

SPCBulk Gas SystemPurifierAfter FilterPure Gas to FabPurifierTankBefore FilterVaporizerGeneral Gasto FabRev.8902-B

一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...