集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
ULSI中对光刻的基本要求①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志,线宽越来越细,要求光刻具有高分辨率。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高,曝...
切片机张刀对切片质量的影响-45所
1.1.2液压张刀的检测通过刀片刃口处径向的变形量可以判断出刀体内的张力和刚性,采用液压张刀方式,刃口处径向变形量可用刀片张力规检测,如图2所示。将刀片张力规安放于刀片刃口处,通过上刀环...
666化学机械抛光技术的研究进展
第6期雷红,等:化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高,表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...
集成电路封装与测试(一)
课程大纲第一章集成电路芯片封装概述基础部分第二章封装工艺流程第三章厚/薄膜技术材料部分第四章焊接材料第五章印刷电路板基板部分第六章元器件与电路板的结合第七章封胶材料与技术封装部分第...
第2章–半导体材料
SIPIVT晶体结构晶体可分为单晶和多晶,若在整块材料中,原子都是规则的、周期性的重复排列的,一种结构贯穿整体,这样的晶体称为单晶,如石英单晶,硅单晶,岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶...
第4章—14芯片制造概述
晶圆术语晶圆表面各部分的名称如下:(I)器件或叫芯片(Chip,die,device,circuit,microchip,bar):这是指在晶圆表面占大部分面积的微芯片掩膜。(2)街区或锯切线(Scribe lines,saw lines,streets,.a...