联发科MTK芯片型号资料大全
MT1959RT5592MT7612MT6169RT3662MT6515MT5396MT6228MT6517MT6229RT3883MT6223MT6235MT8563MT6250MT8507MT8553MT6205MT6227MT6226MT6255MT6253MT8389MT8665MT8392MT2503联发科技MT2503基于高度集...
直径12英寸硅单晶抛光片-
中国集成电路China Integrated Circult创新专栏●硅片的快速热处理技术,实现了硅片表面洁净区厚度在10-170μm间可控。●依靠自主技术,并联合国内相关单位,组织完成了适用于半导体生产的高等...
CMP-Process-Introduction
OutlineCMP OverviewAMAT Tool,Mirra-MesaCMP ConsumableSlurryPolish PadDiamond DiskCMP ProcessSTI,ILD and IMD CMPPoly CMP>Tungsten CMPCopper CMP
半导体单晶和薄膜制造技术
4.1半导体单晶的制造单晶治炼和晶圆制造过程蒸馏与还原起始材料多晶半导体石英岩(高纯硅砂)Si/SiO2晶体生长研磨、切割、地光晶棒晶圆单晶半导体晶锭制造硅的起始材料是一种被称为石英岩的高纯...
半导体晶圆切割
刀片优化(Blade Optimization)为了接收今天新的切片桃战,切片系统与刀片之间的协作是必要的。对于高端high-end应用特别如此。刀片在工艺优化中起主要的作用。为了接纳所有来自于迅速的技术发展...
单晶炉设备行业
大批组件封装企业纷纷涌现,无论是电池生产规模还是组件生产规模,都迅速向世界光伏制造大国迈进,2002年中国光伏制造首次跻身世界10强,电池和组件产量均位居世界第七;2003年中国电池产量和组...
电浆化学气相沉积、溅镀与蚀刻-Plasma-CVD–Sputtering-and-Etching—Principles-and-Technology
Plasma SchematioA partially ionized gascreated by application of anelectric field.Positiveneutralsion/electron pairs areglow(radicals,unreacted gas)Sheathcreated by ionizationdisch...
半导体芯片制造技术5
第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中,即使在室温条件下,在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密,同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化,而且还具有极稳定的...