联发科MTK芯片型号资料大全
MT1959RT5592MT7612MT6169RT3662MT6515MT5396MT6228MT6517MT6229RT3883MT6223MT6235MT8563MT6250MT8507MT8553MT6205MT6227MT6226MT6255MT6253MT8389MT8665MT8392MT2503联发科技MT2503基于高度集...
ECO技术在SoC芯片设计中的应用-王巍
cic中国集成电路China Integrated Circult设计添加或是重新连线工作，非功能改变通常更易达到此在时序收敛时，会有少许反复，且效率不高。虽然设计收敛。下文对设计中用到的时序以及串扰等非最...
18微米芯片后端设计的相关技术
DSM Physical Effect Dominance☐interconnect圆Intrinsic80-90%0fTotal Delays1.000.800.500.400.300.25Process GeometryData Courtesy ofToshiba America Electronic Components此外，当进入0...
射频芯片校准设计
Outline·Why Calibrate?Calibration Techniques目-Resistor Calibration-RC Time Constant Calibration-VCO Calibration-Automatic Frequency Control (Agile Frequency Offset Calibration)-Q...
联发科SDK资料
MEDIATEK联发科安卓SDK开发者指南开发者指南目录1介绍..52联发科Android手机技术.62.1 HotKnot无线数据传输..62.2多SIM卡72.3多媒体操作.82.3.1肖像增强功能….82.3.2图像变换.82.3.3高清录音和...
超大规模集成电路中低功耗设计与分析
AbstractAbstractLiu Hainan (Microelectronics and Solid-State Electronics)Directed by Professor Zhou YumeiAs the design of IC go into larger and faster,the issue about power consump...
常用存储器芯片设计指南
AddressesAddresses StableCE#OEMWE#HIGH ZHIGHZOutputsOu中out Valid图2读操作时序下面给出一个MPC860最小系统的应用例子。SST39VF040BAB BDB BCBAB244址总驱BA[31.13]动MPBCDB02458数06BD[0.7...
半导体缺陷解析及中英文术语一览
6.嵌晶：在绪单晶内部存在与基体取向不同的小晶体。7.化学抛光：液配比：HF(40%):HNO3(65%-68%)=1:3(体积比)抛光的时间依不同为2-5min。抛光的温度不宜过高，样品不能暴露空气中，防止氧化。8....
图解芯片制作工艺流程
从“沙子”到“黄金”一一图解芯片制作工艺流程sa新浪科技ntel Activeinter第一步：制造晶棒（也就是硅锭）VirtualizabionTechnologyinteD将收集到的精度硅原料在高温下整形，采用旋转拉CNROF伸...
