第一章半导体衬底第二章氧化第三章扩散第四章离子注入第五章光刻第六章刻蚀第七章化学气相沉积第八章化学机械化平坦第九章金属化工艺第十章CMOS工艺流程

赵权：半导体单晶抛光片清洗工艺分析清洗技术水平有一定的指导作用。的Si被NHOH腐蚀，因此附着在Si片表面的颗粒便落入到清洗液中，从而达到去除颗粒的目的。2清洗工艺③HPM清洗半导体材料抛光片...

6.嵌晶：在绪单晶内部存在与基体取向不同的小晶体。7.化学抛光：液配比：HF(40%):HNO3(65%-68%)=1:3(体积比)抛光的时间依不同为2-5min。抛光的温度不宜过高，样品不能暴露空气中，防止氧化。8....

§1.1半导体基础知识1.1.1导体、半导体和绝缘体自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的导电特性处于...

晶片基本知识介绍乳SUNSUNLIGHTING网雪国内芯片厂家现状

cic中国集成电路China Integrated Circult设计添加或是重新连线工作，非功能改变通常更易达到此在时序收敛时，会有少许反复，且效率不高。虽然设计收敛。下文对设计中用到的时序以及串扰等非最...

Outline:Poly process introductionProcess gas introductionPoly etcher introductionRIE introductionPoly chamber introductionP.2

膜片最好，方形次之9.由于方形几何形状对称，很的表面，掺杂浓度不仅影响压阻系数值，而且还影响容易进行晶体切割，且有研究表明在固定面积下，弹压阻系数随温度变化的剧烈程度.当扩散电阻表面...

方法都来的好，所以目前己经有部分晶圆企业开始评估或少量利用臭氧(Ozoe)来进行晶圆的清洗，但是，因为臭氧之特性为不稳定气体，具强烈腐蚀性及氧化性，所以，Bckr指出，臭氧是一种十分危险的气...

化学机械抛光技术及SO2抛光浆料研究进展/宋晓岚等·23·如Pietsch等报道了对SiO2抛光机理的研究)，Hayashi等研究(2)缺口深度大于表面层厚度（ω>t)了氧化物抛光机理：也有不少关于抛光浆料特性...