C电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜，如Al-Si,Cu等，通过蚀刻产...

球所有主流频段，就是实现在全球100多个国家的无缝漫游。新推出的麒麟处理器全面采用SoC(System on Chip,片上系统)架构，即在单个芯片上集成中央处理器、通信模块、音视频解码以及外围电路等一...

答：After Etching Inspection蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目：答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle(3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理？答：...

试。最终测试的成品将被贴上规格卷标(Brand)并加以包装而后交与顾客。未通过的测试的产品将被降级(Downgrading)或丢弃。《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，...

以，选用的综合库不一样，综合出来的电路在时序，面积上是有差异的。一般来说，综合完成后需要再次做仿真验证（这个也称为后仿真，之前的称为前仿真）逻辑综合工具Synopsys的Design Compiler,仿...

晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆...

品圓製造《晶柱成长制程》硅品柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅品柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单品的硅...

mmregsglobal mainsectMAIN'main:stm#TAB,ARO;指向表头tm#167H,AR3:设定循环次数HI PULSE:ssbx xfstm #20H,AR5NOPL00P1:NOPBANZ LOOP1,*AR5-;delay1NOPportw *ar0+,8h al--cs 60ns,a2--r/w 60ns...

目录第一章CPU芯片封装概述1.1集成电路的发展……41.1.1世界集成电路的发展….41.1.2我国集成电路的发展….….51.1.3CPU芯片的发展…61.2CPU构造原理….101.3,1CPU工作原理….111.3.2CPU的工作...

uolu0=0。此后，ui上升到VCC,然后再降低，但在未到达VCC3以前，uol=uo=0的状态不会改变。(3)i下降到2VCC3时，比较器C1输出为1、C2输出为0，触发器置1，即Q=1、,uolu0=1。此后，ui继续下降到0，...