2003年3月李福泉等：倒装芯片凸点制作方法63倒装芯片钎料凸点对钎料材料选择通常要求有割。化学腐蚀模板比较便宜，但精度不高。电镀和良好的重熔性能，由于其在重熔过程中具有自对准激光切割模...

OutlineCMP OverviewAMAT Tool,Mirra-MesaCMP ConsumableSlurryPolish PadDiamond DiskCMP ProcessSTI,ILD and IMD CMPPoly CMP>Tungsten CMPCopper CMP

膜片最好，方形次之9.由于方形几何形状对称，很的表面，掺杂浓度不仅影响压阻系数值，而且还影响容易进行晶体切割，且有研究表明在固定面积下，弹压阻系数随温度变化的剧烈程度.当扩散电阻表面...

基本过程·晶园制作-Wafer Creation·芯片制作-Chip Creation·后封装-Chip Packaging

化学机械抛光技术及SO2抛光浆料研究进展/宋晓岚等·23·如Pietsch等报道了对SiO2抛光机理的研究)，Hayashi等研究(2)缺口深度大于表面层厚度（ω>t)了氧化物抛光机理：也有不少关于抛光浆料特性...

第2期苏文佳等：单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟5251引言直拉法即CZ法)晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。对于太阳电池来说，最重要的是降低单晶棒的成...

WAT Introduction1.WAT是什么2.WAT系统介绍3.WAT测试项日及方法

LED◆外观·检测.DIE印制印刷晶圆·定位扩晶定位检测·字符识别料带bonding·检测切割•其他固晶贴装。封装包装◆·封装管脚检测其它和测量■·裸板AOI·定位、测ICPCB原料塑料制版·印刷量金属...

计划于2005年前，先行完成4条8~12英寸晶圆生产线，以实现年产240万片，产能1.1亿平方英寸的生产目标。以上项目的建设，为硅材料加工行业提供了广阔的市场。以上海规划年产240万片为例，240万片...

目录1.概述2.先进的全定制设计方法(ACD)3.芯片集成所遇到的挑战4.Virtuoso芯片集成设计流程5.结论插图目录图1先进的全定制设计方法图2多领域集成范围图3 Virtuoso芯片集成设计流程