芯片制作工艺流程

应气体至反应炉的载气体精密装置：(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室：(3)反应炉：(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜：当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。2低压CVD(Low Pressure CVD)此方法是以常压CVD为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少：(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力（因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。3 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(X)及金属有机化合物(R)等在高温中气相化学反应（热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度极强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须（短纤维）等，故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解（约650oC)淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的Si02薄膜是用SiH4和02在400-4500oC的温度下形成SiH4+02--Si02+2H2或是用Si(0C2H5)4(TE0S:tetra-ethoxy-si1anc)和02在750oC左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的Si02膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者，在淀积的同时导入PH3气体，就形成磷硅玻璃(PSG:phosphor-silicate-glass)再导入B2H6气体就形成BPSG(borro-phosphor-silicate-glass)膜。这两种薄膜材料，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。4电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD)NPCVD法及LPCVD法等皆是被加热或高温的表面上产生化学反应而形成薄膜。PECVD是在常压CVD或LPCVD的反应空间中导入电浆（等离子体），而使存在