硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理

3.二氧化硅-氢氧化钠抛光法二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种：(1)将三氯氢硅或四氯化硅液体用氮气携带通入到氢氧化钠溶液中，产生的沉淀在母液中静置，然后把上面的悬浮液轻轻倒出，并调节pH值为9.5~11。其反应如下：SiCl,+4NaOH=Si0+4NaCl+2HOSiHCl+3Na0H=Si02↓+3NaC1+H,0+H↑(2)也可以利用制备多晶硅的尾气或硅外延生长时的废气生产二氧化硅微粒。反应如下：SiC1 +4H,O=HSi0,+4HClHSi0,=Si02+H0(3)用工业二氧化硅粉和水以质量比为150：1000配置，并用氢氧化钠调节pH值为9.5~11。抛光液的pH值为9.5~11范围内，pH值过低，抛光很慢，PH值过高产生较强的腐蚀作用，硅片表面出现腐蚀坑。