内圆切片机设计

计划于2005年前，先行完成4条8~12英寸晶圆生产线，以实现年产240万片，产能1.1亿平方英寸的生产目标。以上项目的建设，为硅材料加工行业提供了广阔的市场。以上海规划年产240万片为例，240万片折合200mlCZ法单晶硅片240吨（这一数据为日本2001年晶圆单晶硅产量的十分之一，2001年日本晶圆单晶硅产量为2153吨)。从目前国内硅圆片加工行业来看，在我国具有相当规模的半导体材料生产及加工企业中，其单晶硅年产量徘徊在50吨的水平，并且其生产的硅圆片的数量，较多集中在125mn圆片的加工范围。硅圆片的加工方法一直延用以下工艺过程：晶棒成长一一晶棒裁切与检测一一外径滚磨一一切片一一圆边（倒角）一一表层研磨一一蚀刻一去疵一一抛光一一清洗一一检验一一包装硅圆片切片工艺过程中多应用内圆切割技术，该技术于二十世纪七十年代末发展成熟。随着硅圆片直径的增大，内圆切割工艺中所需内圆刀片尺寸增大，刀片张紧力也相应增大。同时刀片刃口的加厚增加了切割损耗，高速切割使硅片表面的损伤层及刀具损耗加大。这些缺点使内圆切割技术在大片径化方向中提高效率，降低生产成本受到制约。加之当时内圆刀具制作上的困难，基于这种情况，国际上又发展了一种多线切割（后简称线切割）技术工艺方法。1.1.1内圆切割技术与线切割技术分析200mm以上规格硅单晶圆片切割加工可采用内圆切割技术或线切割技术两种切割方式。在硅圆片规模化生产中，线切割技术作为主流加工方式，逐步取代传统的内圆切割技术方式。但在所有硅材料切片加工中，内圆切割技术与线切割技术在实际应用中互为补充而存在。众所周知，随着硅圆片直径的增大，内圆切割技术的缺点使硅片表面的损伤层加大（约为3040微米）。线切割技术优点是效率高（大约为内圆切割技术的6~8倍。在8小时左右切割过程中一次可切出400圆片左右)。切口小，硅棒切口损耗小（约为内圆切割技术的60%，这相当于内圆切片机切割6片圆片而节约出1