芯片制程(以-Intel-芯片为例)

第三步：晶圆涂膜波照就是在原始的硅晶片表面增川一层由望化硅Si02)构成的绝涤层，类似铁生锈的过程，这样通过cU就能哆导申了。通常工艺是将每一个切少放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片袁面生成一层二氧化硅膜。第四步：晶圆的显影和蚀刻在硅品片诛上光致抗烛剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部接寿可用溶剂将其冲走。剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得我们所需要的二氧化硅层同样方法在刚弄好的二氢化，硅层卜割造多品硅异，再在其二面涂制光致扩蚀剂层以作下一步用。第二张遮光妆派二用场了，司样的制作了与第二张遮光物形状相同的多晶硅层。第五步：掺杂往晶圆中植入离子，也就是在上面动加入其也化学材料，生成相应血、类半导体。具体工艺是从硅片上已碾露的区域千始，首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺将改变掺杂区的导屯式，使得每个晶体管可以通、断、或携带数号。将此工乞一次次地重复，以制城该C的许多层。不司层可通过开定窗口联接起来。屯子以很高的速度在不同的层面间流上流下，窗口是过但用俺重复俺膜、刻蚀步骤开启的：廚口于启后就可以用铝填充。加入一个一氧，化哇层，然后光划一次。重复这些出聚，然后就出现了一个多层立架构，这就是你目前但用的处坦器的萌井状态了。在每层之间采用金再徐限的技术进行层间的导电连接。P4理器采用了7层金属连妥，而Ath1o64便州了9层，所便先的层数妆法十贵初的版图设一，并不直接代表着最终产品的性能差异。