目前微电子产业己逐渐演变为设计，制造和封装三个相对独立的产业。电路设计中心掩膜制作厂硅原料电路设计CADTapeReticle拉单晶切割晶片投入氧化光阻掩膜投入业研磨刻号CVD影金属蒸镀蚀刻清洗清...

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集成电路发展的特点1)摩尔定律：1C集成度每18个月增加一倍特征线宽每3年缩小30%2)集成电路一直是工业领先与理论工艺制造领先与设计的领域3)电子产品中集成电路所占成本从5一10%增加到30%一35%

uolu0=0。此后，ui上升到VCC,然后再降低，但在未到达VCC3以前，uol=uo=0的状态不会改变。(3)i下降到2VCC3时，比较器C1输出为1、C2输出为0，触发器置1，即Q=1、,uolu0=1。此后，ui继续下降到0，...

集成电路(C)的发展1959世界第一块1C诞生于德州仪器和西物电气公司-4个晶体管/芯片30年的发展，经历了从SSI、MSl、LSl、VLS和U儿SI的发展，目前可达到：40亿个晶体管/芯片600MHz~4GHz工作频率-0....

一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层4、搀加杂质将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一...

目录集成电路芯片设计芯片设计前端流程3芯片设计过程分析4晶元初步制造●

广东化工2009年第8期88www.gdchem.com第36卷总第196期悬浮磨料的效果。分散剂的作用机理：这些界面活性剂吸附据文献报道，重金属杂质F©会对硅片造成最严重的重于固体颗粒的表面，使凝聚的固体...