MEDIATEK联发科安卓SDK开发者指南开发者指南目录1介绍..52联发科Android手机技术.62.1 HotKnot无线数据传输..62.2多SIM卡72.3多媒体操作.82.3.1肖像增强功能….82.3.2图像变换.82.3.3高清录音和...

目录集成电路芯片设计芯片设计前端流程3芯片设计过程分析4晶元初步制造●

硅片的表面起伏问题与解决方案→化学机械平坦化CMPCMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨

DSM Physical Effect Dominance☐interconnect圆Intrinsic80-90%0fTotal Delays1.000.800.500.400.300.25Process GeometryData Courtesy ofToshiba America Electronic Components此外，当进入0...

移动电源架构←一充电管理←5VUSB输入LI-BAT5V5V升压过流保护USB输出手电筒键多控(MCU)◆充电管理和升压是基本功能◆可附加手电筒及MCU一键多控功能致新科技股份有限公司Global Mixed-mode Tech...

英特尔865系列一共分了三个类型，分别是自带显卡的865G,不带显卡的865PE和仅支持SB533的865P.865芯片组不象875P一样针对高端市场，但同875P相比，它的功能却并没有缩水多少，它同样支持FSB80OHz...

2003年3月李福泉等：倒装芯片凸点制作方法63倒装芯片钎料凸点对钎料材料选择通常要求有割。化学腐蚀模板比较便宜，但精度不高。电镀和良好的重熔性能，由于其在重熔过程中具有自对准激光切割模...

第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的...

膜片最好，方形次之9.由于方形几何形状对称，很的表面，掺杂浓度不仅影响压阻系数值，而且还影响容易进行晶体切割，且有研究表明在固定面积下，弹压阻系数随温度变化的剧烈程度.当扩散电阻表面...

基本过程·晶园制作-Wafer Creation·芯片制作-Chip Creation·后封装-Chip Packaging