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6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片
Ⅲ族元素,如硼、铝等,就会形成P型导电材料。拉制单晶的电阻率值是由被选择的参杂元素的掺入量来确定的,惨杂元素的惨入量越大,单晶的电阻率越低,掺入量很大的低电阻率单晶,称为重渗硅单晶...
集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术
集成电路封装测试与可靠性典型的C封装工艺流程Wafer InWire BondSolder Plating(WB引线键合)(SP锡铅电镀)业Wafer GrindingDie CoatingTop Mark(WG研磨)①C晶粒封胶/涂覆)(TM正面印码)Wafer SawM...
第十一章-半导体材料制备
生长技术体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料,半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999%)的单晶硅■外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。...
集成电路芯片封装第十五讲
前课回顾1、气密性封装定义与近气密性封装气密性封装是指完全能够防止污染物的侵入和腐蚀的封装形式;介于Full-Non:材料不同、工艺相同2、气密性封装常用材料陶瓷、金属、玻璃3、金属气密性封装...
华为海思芯片
球所有主流频段,就是实现在全球100多个国家的无缝漫游。新推出的麒麟处理器全面采用SoC(System on Chip,片上系统)架构,即在单个芯片上集成中央处理器、通信模块、音视频解码以及外围电路等一...
半导体清洗技术面临变革
方法都来的好,所以目前己经有部分晶圆企业开始评估或少量利用臭氧(Ozoe)来进行晶圆的清洗,但是,因为臭氧之特性为不稳定气体,具强烈腐蚀性及氧化性,所以,Bckr指出,臭氧是一种十分危险的气...
半导体封装工艺讲解
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