300mm硅单晶及抛光片标准
一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...
化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题
2QMP技术无研磨膏QMP、终点检测、自动输送接口、干法清洗QP技术的目的是消除芯片表面的高点及波浪圆片等，同时，对于0.18m或更小图形尺寸的新材形。QMP的基本原理是将圆晶体片在研磨浆（如含有...
表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用
表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用73于离子型表面活性剂，因为它的分子不带电，容易靠拢，易形成胶团及致密的表面吸附层.所以，CMC值较小，而降低表面张力较大，即有较高的表面活性：)...
厚硅片的高速激光切片研究
830光学精密工程第14卷Experimental results show that the cross section is fine in narrow groove and excellent repeatabilityprecision,it is more better than that of other conventiona...
硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚
张志坚，等硅抛光片(CM)市场和技术现状利润逐渐下滑。表1是单位多晶硅消耗的太阳能电池硅片、硅抛光片的产值和产业利润情况。表1太阳能电池硅切片、半导体抛光片单位多品硅消耗的产值和产业利润...
第三章-半导体晶体的切割及磨削加工
外国物是录平开发的银切难痛片的工艺，这种方法与砂枪外圆睿削湘似，把薄的金刷石幅片夹种在高速旋情的主轴上，用外轻上的金刚石唐推幅女工件。同前外圆切片还用在单晶硅棒切方方面〔各林开方)...
化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展
化学机械抛光技术及SO2抛光浆料研究进展/宋晓岚等·23·如Pietsch等报道了对SiO2抛光机理的研究)，Hayashi等研究(2)缺口深度大于表面层厚度（ω>t)了氧化物抛光机理：也有不少关于抛光浆料特性...
半导体单晶抛光片清洗工艺分析
赵权：半导体单晶抛光片清洗工艺分析清洗技术水平有一定的指导作用。的Si被NHOH腐蚀，因此附着在Si片表面的颗粒便落入到清洗液中，从而达到去除颗粒的目的。2清洗工艺③HPM清洗半导体材料抛光片...
直径12英寸硅单晶抛光片-
中国集成电路China Integrated Circult创新专栏●硅片的快速热处理技术，实现了硅片表面洁净区厚度在10-170μm间可控。●依靠自主技术，并联合国内相关单位，组织完成了适用于半导体生产的高等...
硅研磨片超声波清洗技术的研究
216电子工艺技术第27卷第4期子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发将磨片分为十组，以上述最佳配比为清洗液超蓝、发黑等现象，使研磨片不合格。硅研磨片清洗的声清洗，按不同的时间分...
