硅研磨片超声波清洗技术的研究

216电子工艺技术第27卷第4期子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发将磨片分为十组，以上述最佳配比为清洗液超蓝、发黑等现象，使研磨片不合格。硅研磨片清洗的声清洗，按不同的时间分为十批清洗，清洗时间分目的就是要除去各类污染物，硅研磨片清洗的洁净别是1min、2min、3min、4min、5min、6min、7min、8程度直接影响着化抛和抛光工序的加工，因此硅研min、9min、10min。同时用去离子水代替清洗液同磨片的清洗，在半导体清洗工艺中具有重要的作用。样条件下作对比实验，得出结论，清洗剂的清洗效2实验及结果分析果明显好于去离子水，而且超声清洗时间在3mn2.1实验设备和试剂清洗效果就已经比较理想了。实验设备：SQX·3916硅片清洗机（中国电子表1清洗液的配比科技集团公司第二研究所生产)。活性剂VL清洗剂VL去离子水'实验使用的试剂：助洗剂、有机碱、Q325·B清0.050.051.00洗剂、活性剂、去离子水、助磨剂。0.050.052.002.2实验过程0.050.103.002.2.1超声波清洗的基本原理利用28Hz以上的电能，经超声波换能器转换0.050.104.00成高频机械振荡而传入到清洗液中。超声波在清洗0.200.505.00液中疏密相间地向前辐谢，使液体流动，并不停地产0.201.006.00生数以万计的微小气泡。这些气泡是在超声波纵向0.201.0010.00传播的负压区形成及生长，而在正压区迅速闭合。0.201.508.00这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，0.201.509.00在空化现象中气泡闭合时形成超过101.325MPa的0.202.0010.00瞬时高压，连续不断产生的瞬时高压，象一连串小爆炸不停地轰击物体表面，使物体及缝隙中的污垢迅225超声清洗温度的确定速剥落。这种空化侵蚀作用就是超声波清洗的基本非离子表面活性剂在液固界面的吸附量随温度原理。升高而增加。这是因为在低温时非离子表面活性剂2.2.2清洗工艺流程与水完全混溶，亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能自动上料→千分之三助洗剂+去离子水+超声量低，当温度升高后，分子的热运动加剧，致使氢键波清洗+抛动千分之三助洗剂+去离子水+超声破坏，使非离子表面活性剂在水中的溶解度下降，温波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动碱度升高到一定值时，非离子表面活性剂从水溶液中液+超声波清洗+抛动一碱液+超声波清洗+抛动析出变混浊，此温度即为浊点。因此温度升高时非去离子水+超声波清洗+抛动+溢流去离子水离子表面活性剂逃离水的趋势增强，吸附量增大。+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料。温度对非离子表面活性剂的去污能力的影响是明显2.2.3清洗液的最佳配比的确定的，当温度接近于浊点时，清洗效果最好。通过实验取直径10m及600μm厚的硅片作十组实验，得出40℃~50℃之间均可，但45℃为最佳。固定3min清洗时间及超声清洗的温度见表l。226扫描电子显微镜的观察从表1中观察不同条件下硅片表面，用荧光灯硅片表面黑点的扫面电子显微镜照片如图1所照射表面可清楚看出硅表面的洁净程度。因此得出示。结果：清洗液的最佳体积比为活性剂：清洗剂：去通过扫描电子显微镜能谱分析可以得出：研磨离子水=020：1.00：1000。片的表面黑点主要是颗粒污染物和碳元素聚集物。通过实验发现当清洗剂的浓度越低，越有利于3实验结果和讨论水的清洗，但清洗剂的浓度不能低于10%，否则清(1)硅片经过磨片工序后，一直使硅片处于去洗效果反而降低。离子水中浸泡状态，这样在经过清洗机清洗后表面2.2.4超声清洗时间的确定洁净，在化抛后尤为明显，化抛后硅片表面相当光1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House.All rights reserved.http://www.cnki.net