第三章-半导体晶体的切割及磨削加工

外国物是录平开发的银切难痛片的工艺，这种方法与砂枪外圆睿削湘似，把薄的金刷石幅片夹种在高速旋情的主轴上，用外轻上的金刚石唐推幅女工件。同前外圆切片还用在单晶硅棒切方方面〔各林开方)，通常用两片查刷石外调切制片同时菜在单晶难切方菜里上，将单山硅圆棒抑工成生方棒，加工后的单局棒成对林矩形。时青用于单晶难棒妇方用金刑石外国切制片的要求是其刃口地幕地好。金刚石外周切割幅片在单高硅掉切方菜里上是两片同时使用，将硅棒切成时貅矩形。p正图单晶生棒开方设备由于单晶硅切削面要求平整，表面要求无清道、无区城沾污、无则边、无乳缝、无凹坑等，故咸对的切制片必须具有相同的机战物理性能。因此，基体材质、金刷石选用与处理以及生产工艺都须有严格的村珠的要求。在单晶硅棒切方过和中，对切割片的效率不使用寿命也有一定的要求。半独材情20所Iuih女g金刚石外圆切削片的制造工艺因此选用低溪电沉积法制造全刑石外圆切制餐单晶生人有金则石晶格，山株观而硬，很难用常视工具完成加工。金刷石外圆切割片在切制单品吐时，战速度高达片。其优点是：30,格曲在切制过根中反复承变味冲式工作粮荷，因此·工艺温度低，避免了对金刚石的热损伤；要水胎件要具有高的晚度不时唐性，使之在初制过准中与金刚石的喜机湘道应。,沉机金属株层本身有较高的硬度(RC影40)，加之组织致密，对金刚石具有良好的浸润性，金刚石不动脱落；·可生产很薄且金刑石浓度很高的削片；设备简单、操作方使，制造成本低p5国iu出agluhidang2