第6期雷红，等：化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高，表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...

膜片最好，方形次之9.由于方形几何形状对称，很的表面，掺杂浓度不仅影响压阻系数值，而且还影响容易进行晶体切割，且有研究表明在固定面积下，弹压阻系数随温度变化的剧烈程度.当扩散电阻表面...

一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...

第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的...

目录·第一章：半导体产业介绍·第二章：器件的制造步骤·第三章：晶圆制备第四章：芯片制造·第五章：污染控制·第六章：工艺良品率

CEC中国电子|大华大电子微电子技术。20世纪最伟大的技术·信息产业最重要的技术进步最快的技术基尔比Jack Kilby)的第一个安置在半导体锗片上的电路取得了成功-“相移振荡器”，世界上第一块集成...

方法都来的好，所以目前己经有部分晶圆企业开始评估或少量利用臭氧(Ozoe)来进行晶圆的清洗，但是，因为臭氧之特性为不稳定气体，具强烈腐蚀性及氧化性，所以，Bckr指出，臭氧是一种十分危险的气...

半导体封装制程概述半导体前段晶圆waferf制程↓半导体后段封装测试封装前段(B/G-MOLD)一封装后段(MARK-PLANT)一测试封装就是將前製程加工完成後所提供晶圓中之每一顆C晶粒獨立分離，並外接信號...

IC Process FlowCustomer客户IC DesignSMTIC设计IC组装Wafer FabWafer ProbeAssembly&Test晶圆制造品圆测试IC封装测试

参考书■半导体器件工艺上海科学技术文献出版社·半导体器件工艺原理人民教育出版社·半导体化学原理李家值科学出版社Electronic Materials ChemistryH.Bernbard Pogge原子光谱分析】邱德仁Mode...