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应气体至反应炉的载气体精密装置：(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室：(3)反应炉：(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如...

2003年3月李福泉等：倒装芯片凸点制作方法63倒装芯片钎料凸点对钎料材料选择通常要求有割。化学腐蚀模板比较便宜，但精度不高。电镀和良好的重熔性能，由于其在重熔过程中具有自对准激光切割模...

主要内容>一PVD薄膜沉积的基本原理>二PVD薄膜沉积各种方式的比较>三PVD薄膜沉积中常见问题>四PVD薄膜的表征>五纳米加工平台现有设备介绍中种院景州的来所（筹）www.sinano.ac.cn

微米纳米枝术研究中心DRIVERSIInstitute of Micro and Nano Technology永主要内容>掺杂技术、退火技术>表面薄膜制造技术>光刻技术>金属化技术>刻蚀技术>净化与清洗>接触与互连>健合、装配和封装...

Purpose of Wet Cleaning ProcessThrough to a series of processes to make thewafers free from particles,organiccontaminations,metal contamination,surfacemicroroughness and native oxi...

半导体相关知识游傲Y9中国领先的教育培训平台·本征材料：纯硅9-10个92500002.cm·N型硅：掺入V族元素-磷P、砷AS、锑Sb·P型硅：掺入II族元素一镓Ga、硼B·PN结：PN⊕⊕

FT:device level的电路测试含功能CP=chip probingFT=Final TestCP一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing后就没有FTFT是在封装之后，也叫“终测”...

MT1959RT5592MT7612MT6169RT3662MT6515MT5396MT6228MT6517MT6229RT3883MT6223MT6235MT8563MT6250MT8507MT8553MT6205MT6227MT6226MT6255MT6253MT8389MT8665MT8392MT2503联发科技MT2503基于高度集...

中国集成电路China Integrated Circult创新专栏●硅片的快速热处理技术，实现了硅片表面洁净区厚度在10-170μm间可控。●依靠自主技术，并联合国内相关单位，组织完成了适用于半导体生产的高等...