芯片测试的几个术语及解释

FT:device level的电路测试含功能CP=chip probingFT=Final TestCP一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing后就没有FTFT是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。CP用prober,probe card。FT是handler,socketCP比较常见的是room temperature=-25度，T可能一般就是75或90度CP没有QA buy-of(质量认证、验收)，FT有CP两方面1.监控工艺，所以呢，觉得probe实际属于FAB范畴2.控制成本。Financial fate。我们知道T封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，最有利于控制成本FT:终测通常是测试项最多的测试了，有些客户还要求3温测试，成本也最大。至于测试项呢，1.如果测试时间很长，CP和T又都可以测，像trim项，加在probe能显著降低时间成本，当然也要看客户要求。2.关于大电流测试呢，FT多些，但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet,一个PAD上十多个needle。3.有些PAD会封装到device内部，在T是看不到的，所以有些测试项只能在CP直接测，像功率管的GATE端漏电流测试gssCP测试主要是挑坏die,修补die,然后保证die在基本的spec内，function well。FT测试主要是package完成后，保证die在严格的spec内能够function。CP的难点在于，如何在最短的时间内挑出坏die,修补die。FT的难点在于，如何在最短的时间内，保证出厂的Unit能够完成全部的Function。