硅片的表面起伏问题与解决方案→化学机械平坦化CMPCMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨

DSM Physical Effect Dominance☐interconnect圆Intrinsic80-90%0fTotal Delays1.000.800.500.400.300.25Process GeometryData Courtesy ofToshiba America Electronic Components此外，当进入0...

移动电源架构←一充电管理←5VUSB输入LI-BAT5V5V升压过流保护USB输出手电筒键多控(MCU)◆充电管理和升压是基本功能◆可附加手电筒及MCU一键多控功能致新科技股份有限公司Global Mixed-mode Tech...

英特尔865系列一共分了三个类型，分别是自带显卡的865G,不带显卡的865PE和仅支持SB533的865P.865芯片组不象875P一样针对高端市场，但同875P相比，它的功能却并没有缩水多少，它同样支持FSB80OHz...

2003年3月李福泉等：倒装芯片凸点制作方法63倒装芯片钎料凸点对钎料材料选择通常要求有割。化学腐蚀模板比较便宜，但精度不高。电镀和良好的重熔性能，由于其在重熔过程中具有自对准激光切割模...

OutlineCMP OverviewAMAT Tool,Mirra-MesaCMP ConsumableSlurryPolish PadDiamond DiskCMP ProcessSTI,ILD and IMD CMPPoly CMP>Tungsten CMPCopper CMP

赵权：半导体单晶抛光片清洗工艺分析清洗技术水平有一定的指导作用。的Si被NHOH腐蚀，因此附着在Si片表面的颗粒便落入到清洗液中，从而达到去除颗粒的目的。2清洗工艺③HPM清洗半导体材料抛光片...

第6期雷红，等：化学机械抛光技术的研究进展·495能的重要因素.Applied materials(美)、Ebara(日本)、IPEC Planar随者电子产品表面质量要求的不断提高，表面(美)、Speed Fam(美)、Strasbaugh(美...

C电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜，如Al-Si,Cu等，通过蚀刻产...

生长技术体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料，半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999%)的单晶硅■外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。...