半导体第五讲硅片清洗(4课时)

半导体第五讲硅片清洗(4课时)-学行智库
半导体第五讲硅片清洗(4课时)
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THE END
2本节课主要内容硅片清洗湿法清洗:Piranha,RCA (SC-1,SC-2),HF:H2O物理清洗王法清洗:气相化学吸杂三步骤:激活,护散,俘获碱金属:PSG,超净化十SiN钝化保护其他金属:本征吸杂和非本征吸杂大密度河隙原子十体缺陷SiO2的成核硅片背面高浓生长。度掺杂,淀积多晶硅
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