目录集成电路芯片设计芯片设计前端流程3芯片设计过程分析4晶元初步制造●

Outline1.IC Typical Schematic2.PVD Technology3.AlCu PVD4.Salicide PVD5.Barrier PVD6.WCVD

半导体制备工艺原理第一章晶体生长一、衬底材料的类型l.元素半导体Si、Ge..2.化合物半导体GaAs、SiC、GaN..

由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5圆边(Edge Profiling】由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为...

(接前页)广散炉描杂工艺设备离子注入机中间测试设备探针测试台晶片减薄机划片机粘片机组装与封装设备号线建合机塑封玉机，陶瓷鞋封装连式炉成品测侧试设备IC视侧试系统图2.2一半导体与集成电路...

SPCBulk Gas SystemPurifierAfter FilterPure Gas to FabPurifierTankBefore FilterVaporizerGeneral Gasto FabRev.8902-B

一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...

Safe Harbor StatementsUnder the Private Securities Litigation Reform Act of 1995●This document contains,in addition to historical information,'forward-looking statements'within th...

1工艺2清洗现场

SubthresholdGate LeakageLeakageGateSourceDrainn土Reverse BiasedJunction BTBTBulk50%Must stop40%at50%30%20%10%0%一◆◆◆↓◆一1.510.70.50.350.250.180.130.090.070.05Technology (u)芯...