一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...

Safe Harbor StatementsUnder the Private Securities Litigation Reform Act of 1995●This document contains,in addition to historical information,'forward-looking statements'within th...

1工艺2清洗现场

SubthresholdGate LeakageLeakageGateSourceDrainn土Reverse BiasedJunction BTBTBulk50%Must stop40%at50%30%20%10%0%一◆◆◆↓◆一1.510.70.50.350.250.180.130.090.070.05Technology (u)芯...

第三步：晶圆涂膜波照就是在原始的硅晶片表面增川一层由望化硅Si02)构成的绝涤层，类似铁生锈的过程，这样通过cU就能哆导申了。通常工艺是将每一个切少放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使...

修改規格制定硬體描述語言修改電路模擬邏輯合成模擬晶圓代工廠元件資料庫電路佈局與繞線電路檢測結果送至代工廠修改设计第一步，订定目标在IC设计中最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在...

Flow一.大宗氣體供應系統-Bulk Gas Supply System·1.什麼是大宗氣體：一般指用量較大的氣體無色無味無臭，但仍有潛在的危險（部分具室息性）.*CDA(UCCA)/IA-壓縮乾燥空氣/儀器推動空氣/呼吸用...

数字IC设计流程

半导体相关知识二.半导体前工序介绍三.半导体后工序介绍

硅片的表面起伏问题与解决方案→化学机械平坦化CMPCMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨