广东化工2009年第8期88www.gdchem.com第36卷总第196期悬浮磨料的效果。分散剂的作用机理：这些界面活性剂吸附据文献报道，重金属杂质F©会对硅片造成最严重的重于固体颗粒的表面，使凝聚的固体...

Outline·Why Calibrate?Calibration Techniques目-Resistor Calibration-RC Time Constant Calibration-VCO Calibration-Automatic Frequency Control (Agile Frequency Offset Calibration)-Q...

半导体相关知识游傲Y9中国领先的教育培训平台·本征材料：纯硅9-10个92500002.cm·N型硅：掺入V族元素-磷P、砷AS、锑Sb·P型硅：掺入II族元素一镓Ga、硼B·PN结：PN⊕⊕

DSM Physical Effect Dominance☐interconnect圆Intrinsic80-90%0fTotal Delays1.000.800.500.400.300.25Process GeometryData Courtesy ofToshiba America Electronic Components此外，当进入0...

生长技术体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料，半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999%)的单晶硅■外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。...

集成电路封装测试与可靠性典型的C封装工艺流程Wafer InWire BondSolder Plating(WB引线键合)(SP锡铅电镀)业Wafer GrindingDie CoatingTop Mark(WG研磨)①C晶粒封胶/涂覆)(TM正面印码)Wafer SawM...

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一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...

目录1.概述2.先进的全定制设计方法(ACD)3.芯片集成所遇到的挑战4.Virtuoso芯片集成设计流程5.结论插图目录图1先进的全定制设计方法图2多领域集成范围图3 Virtuoso芯片集成设计流程

为何要介绍1C制造工艺？(1)集成电路设计人员虽然不需要直接参与集成电路的工艺流程和掌握工艺的细节，但了解集成电路制造工艺的基本原理和过程，对于集成电路设计大有裨益。(2)这些工艺可应用于...