集成电路封装测试与可靠性典型的C封装工艺流程Wafer InWire BondSolder Plating(WB引线键合)(SP锡铅电镀)业Wafer GrindingDie CoatingTop Mark(WG研磨)①C晶粒封胶/涂覆)(TM正面印码)Wafer SawM...

Contents:1.Introduction of metal etch2.Metal etch defect --Corrosion3.Metal etcher tool introduction4.Common metal etch process trendsP.2

LED◆外观·检测.DIE印制印刷晶圆·定位扩晶定位检测·字符识别料带bonding·检测切割•其他固晶贴装。封装包装◆·封装管脚检测其它和测量■·裸板AOI·定位、测ICPCB原料塑料制版·印刷量金属...

应气体至反应炉的载气体精密装置：(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室：(3)反应炉：(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如...

集成电路发展的特点1)摩尔定律：1C集成度每18个月增加一倍特征线宽每3年缩小30%2)集成电路一直是工业领先与理论工艺制造领先与设计的领域3)电子产品中集成电路所占成本从5一10%增加到30%一35%

3.二氧化硅-氢氧化钠抛光法二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种：(1)将三氯氢硅或四氯化硅液体用氮气携带通入到氢氧化钠溶液中，产生的沉淀在母液中静置，然后把上面的悬浮液轻轻倒出，并调节p...

OutlineCMP OverviewAMAT Tool,Mirra-MesaCMP ConsumableSlurryPolish PadDiamond DiskCMP ProcessSTI,ILD and IMD CMPPoly CMP>Tungsten CMPCopper CMP

本节提要1嵌入式微处理器概述2ARM体系结构概览3ARM编程模型ARM异常处理2PDF文件使用'pdfFactory Pro”试用版本创建匹fineprint.cn

Introduction of CMP目录*CMP的发展史*CMP简介*为什么要有CMP制程*CMP的应用米CMP的耗材*CMP Mirra-Mesa机台简况

目录第一章CPU芯片封装概述1.1集成电路的发展……41.1.1世界集成电路的发展….41.1.2我国集成电路的发展….….51.1.3CPU芯片的发展…61.2CPU构造原理….101.3,1CPU工作原理….111.3.2CPU的工作...