应气体至反应炉的载气体精密装置：(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室：(3)反应炉：(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如...

第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的...

可直接与PCB板进行焊接而不再需要插座。这种封装称为LDCC即陶瓷有引脚片式载体封装。7、TABTAB封装技术是先在铜箔上涂覆一层聚酰亚胺层。然后用刻蚀方法将铜箔腐蚀出所需的引脚框架：再在聚酰亚...

SIPIVT晶体结构晶体可分为单晶和多晶，若在整块材料中，原子都是规则的、周期性的重复排列的，一种结构贯穿整体，这样的晶体称为单晶，如石英单晶，硅单晶，岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶...

目前微电子产业己逐渐演变为设计，制造和封装三个相对独立的产业。电路设计中心掩膜制作厂硅原料电路设计CADTapeReticle拉单晶切割晶片投入氧化光阻掩膜投入业研磨刻号CVD影金属蒸镀蚀刻清洗清...

微电子学：Microelectronics>微电子学—微型电子学>核心—集成电路>关键词：氧化，扩散，光刻，刻蚀，离子注入；MOSFET6然北京大学

专家论谈表2内置USB控制器的ARM芯片示记录设备时，选用内置LCD控制器的芯片型号ARM内核供应商USB Slave USB Host IIS接口ARM芯片如S1C2410较为适宜。S3C2410ARM920TSamsung211.11PWM输出S3C2400...

目录一、光伏产业链二、多晶硅片生产流程三、半导体和硅材料四、多晶硅片生产技术指标（简介)

Content▣Vhat is CVDDCVD Application in IC Process▣CVD ProcessLow K materials

集成电路(C)的发展1959世界第一块1C诞生于德州仪器和西物电气公司-4个晶体管/芯片30年的发展，经历了从SSI、MSl、LSl、VLS和U儿SI的发展，目前可达到：40亿个晶体管/芯片600MHz~4GHz工作频率-0....