C电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜，如Al-Si,Cu等，通过蚀刻产...

生长技术体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料，半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999%)的单晶硅■外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。...

暨南大学信良学院电子工程系INAN UNIVERSITY黄君凯教授国

IC Process FlowCustomer客户IC DesignSMTIC设计IC组装Wafer FabWafer ProbeAssembly&Test晶圆制造品圆测试IC封装测试

集成电路发展的特点1)摩尔定律：1C集成度每18个月增加一倍特征线宽每3年缩小30%2)集成电路一直是工业领先与理论工艺制造领先与设计的领域3)电子产品中集成电路所占成本从5一10%增加到30%一35%

LogoIC Process Flow■Customer客户IC DesignSMTIC设计IC组装Wafer FabWafer ProbeAssembly&Test晶圆制造晶圆测试IC封装测试www.1ppt.comCompany Logo

半导体制造技术Semiconductor Manufacturing Technology本书旨在介绍半导体集成电路产业中最新的工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于...

目录1.概述2.先进的全定制设计方法(ACD)3.芯片集成所遇到的挑战4.Virtuoso芯片集成设计流程5.结论插图目录图1先进的全定制设计方法图2多领域集成范围图3 Virtuoso芯片集成设计流程

总体架构图PConline.com.cn915P北桥芯片Intel925X、Intel915G/P都具有一系列新功能，例如支持双通道DDR2内存、集成新型GPU Intel GMA9O0、能够高速和GPU连接的PCI Express x16总线、更高保真度...

一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...