新型半导体清洗剂的清洗工艺

778半导体学报23卷的自然氧化膜去掉，以利于去除包埋于氧化层内的2.1HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中的作用金属和有机污染物.为了确定HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中2.2使用条件下清洗剂浓度的选取的作用，将50mm的圆硅片分2组分别按照表1中的方法清洗.从清洗机理中知道，只有当表面活性剂在水中表】硅片不同的清洗方法的量达到临界胶束浓度之上，溶液中有胶束存在时，Table 1 Different cleaning methods for silicon wafers它的清洗作用最大.表面活性剂的临界胶束浓度随片号清洗方法表面活性剂的不同而各有差异，其测量方法也是多HF:H20=1:1泡25s,常温高纯水冲5min→60C的种多样的，常用的方法有电导法、表面张力法、染料DGQ-1溶液超声清洗10min→热高纯水冲3min→60C的DGQ-2溶液超声清洗10min→热高纯水冲5min→冷法.图2给出了表面张力法测得的新型超大规模集高纯水冲10min→烘干.成电路清洗剂DGQ-1和DGQ-2中复合表面活性60C的DGQ-l溶液超声清洗10min→热高纯水冲3min剂的表面张力与其浓度的关系曲线，曲线拐点对应→60C的DGQ-2溶液超声清洗10min→热高纯水冲的浓度就是表面活性剂的临界胶束浓度.图2(a)给5min→冷高纯水冲10min→烘干.出了DGQ-1中表面活性剂的临界胶束浓度为将按照上述两种方法清洗好的硅片用傅里叶变54.98mg/L,图2(b)给出了DGQ-2中表面活性剂换红外吸收光谱仪测量它们的红外（透过）吸收，如501图1所示.从图1中可以看出，谱线中有两个明显的吸收峰，在609cm-1处的峰是硅衬底吸收峰，401108cm-1处的吸收是不同价态硅氧化物的复合吸收)，其中的尖峰是由十2价态硅氧化物吸收产生的.由图1的曲线b可以看出，DGQ系列清洗剂的20100PWmg·L)454040001600400Wavenumber/em-3530图1不同清洗工艺清洗后的硅片红外透过谱Q:HF酸漂，新型清洗剂洗：b:新型清洗剂洗25100Fig.1 Infrared absorption spectra of silicon wafers af-PW@g·L'ter different cleaning technique a:HF rinse,washingby the new technique;b:washing by the new technique清洗，在没有HF稀溶液浸泡的情况下，1108cm-处的吸收存在不同价态硅氧化物的复合吸收，这表图2新型清洗剂中表面活性剂水溶液的表面张力与浓明清洗后的硅片表面依然有一层不同价态硅氧化物度的关系曲线(a)DGQ-1清洗剂：(b)DGQ-2清洗剂存在.由图1的曲线a可以看出，用HF稀溶液浸泡Fig.2 Relationship between surface tension and后清洗的硅片，复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收，concentration in containing surfactant solution表明DGQ-1、DGQ-2清洗剂对硅片表面的硅氧化using the new cleaning technique (a)DGQ-1cleaning detergent;(b)DGQ-2 cleaning deter-膜没有去唉凭愚据因此，采用DGQ系列清洗剂清洗gent硅片时，首先需用HF稀溶液浸泡硅片，将硅片表面