216电子工艺技术第27卷第4期子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发将磨片分为十组，以上述最佳配比为清洗液超蓝、发黑等现象，使研磨片不合格。硅研磨片清洗的声清洗，按不同的时间分...

第一节氧化法制备二氧化硅膜硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40A左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的...

集成电路封装测试与可靠性典型的C封装工艺流程Wafer InWire BondSolder Plating(WB引线键合)(SP锡铅电镀)业Wafer GrindingDie CoatingTop Mark(WG研磨)①C晶粒封胶/涂覆)(TM正面印码)Wafer SawM...

第2期苏文佳等：单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟5251引言直拉法即CZ法)晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。对于太阳电池来说，最重要的是降低单晶棒的成...

SIPIVT晶体结构晶体可分为单晶和多晶，若在整块材料中，原子都是规则的、周期性的重复排列的，一种结构贯穿整体，这样的晶体称为单晶，如石英单晶，硅单晶，岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶...

第10章平坦化(机械工业出版社CHINA MACHINE PRESSwww.cmpedu.com

一、300mm硅单晶及抛光片现状300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。而在我国起步较晚，还处于试验阶段。因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、金属污染和缺陷控制、表面...

生长工艺如图所示。其中蒸发工艺、氵溅射等可看成是直接生长法以源直接转移到衬底上形成薄膜；其它则可看成是间接生长法制备薄膜所需的原子或分子，由含其组元的化合物，通过氧化、还原、热分解...

为何要介绍1C制造工艺？(1)集成电路设计人员虽然不需要直接参与集成电路的工艺流程和掌握工艺的细节，但了解集成电路制造工艺的基本原理和过程，对于集成电路设计大有裨益。(2)这些工艺可应用于...

ULSI中对光刻的基本要求①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高，曝...