技术要求半导体晶片制备采用高精度切割、研磨、抛光等加工技术，晶片表面损伤层控制和去除技术以及晶片洁净处理技术。根据半导体器件制作工艺要求，半导体晶片可

cic中国集成电路China Integrated Circult设计添加或是重新连线工作，非功能改变通常更易达到此在时序收敛时，会有少许反复，且效率不高。虽然设计收敛。下文对设计中用到的时序以及串扰等非最...

微米纳米枝术研究中心DRIVERSIInstitute of Micro and Nano Technology永主要内容>掺杂技术、退火技术>表面薄膜制造技术>光刻技术>金属化技术>刻蚀技术>净化与清洗>接触与互连>健合、装配和封装...

Purpose of Wet Cleaning ProcessThrough to a series of processes to make thewafers free from particles,organiccontaminations,metal contamination,surfacemicroroughness and native oxi...

FT:device level的电路测试含功能CP=chip probingFT=Final TestCP一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing后就没有FTFT是在封装之后，也叫“终测”...

1.1.2液压张刀的检测通过刀片刃口处径向的变形量可以判断出刀体内的张力和刚性，采用液压张刀方式，刃口处径向变形量可用刀片张力规检测，如图2所示。将刀片张力规安放于刀片刃口处，通过上刀环...

课程大纲第一章集成电路芯片封装概述基础部分第二章封装工艺流程第三章厚/薄膜技术材料部分第四章焊接材料第五章印刷电路板基板部分第六章元器件与电路板的结合第七章封胶材料与技术封装部分第...

试。最终测试的成品将被贴上规格卷标(Brand)并加以包装而后交与顾客。未通过的测试的产品将被降级(Downgrading)或丢弃。《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，...

以，选用的综合库不一样，综合出来的电路在时序，面积上是有差异的。一般来说，综合完成后需要再次做仿真验证（这个也称为后仿真，之前的称为前仿真）逻辑综合工具Synopsys的Design Compiler,仿...

6.嵌晶：在绪单晶内部存在与基体取向不同的小晶体。7.化学抛光：液配比：HF(40%):HNO3(65%-68%)=1:3(体积比)抛光的时间依不同为2-5min。抛光的温度不宜过高，样品不能暴露空气中，防止氧化。8....