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晶圆及芯片测试-学行智库

晶圆及芯片测试

SubthresholdGate LeakageLeakageGateSourceDrainn土Reverse BiasedJunction BTBTBulk50%Must stop40%at50%30%20%10%0%一◆◆◆↓◆一1.510.70.50.350.250.180.130.090.070.05Technology (u)芯...
芯片制程(以-Intel-芯片为例)-学行智库

芯片制程(以-Intel-芯片为例)

第三步:晶圆涂膜波照就是在原始的硅晶片表面增川一层由望化硅Si02)构成的绝涤层,类似铁生锈的过程,这样通过cU就能哆导申了。通常工艺是将每一个切少放入高温炉中加热,通过控制加温时间而使...
集成电路版图设计5-学行智库

集成电路版图设计5

集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可以不去深入研究,但是有必要了解芯片设计中的工艺基础知识,才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。...
Metal-Etch-Introduction-学行智库

Metal-Etch-Introduction

Contents:1.Introduction of metal etch2.Metal etch defect --Corrosion3.Metal etcher tool introduction4.Common metal etch process trendsP.2
第三章-封装与测试技术ok-学行智库

第三章-封装与测试技术ok

3.1系统封装一、集成电路的封装方法双列直插式(DIP:Dual In-line Package)表面安装封装(SMP:Surface Mounted Package)球型阵列封装(BGA:Ball Grid Arrag)芯片尺寸封装(CSP:Chip Scale Package...
深入大规模芯片设计全过程-学行智库
半导体制造工艺流程-学行智库

半导体制造工艺流程

半导体相关知识游傲Y9中国领先的教育培训平台·本征材料:纯硅9-10个92500002.cm·N型硅:掺入V族元素-磷P、砷AS、锑Sb·P型硅:掺入II族元素一镓Ga、硼B·PN结:PN⊕⊕
电浆化学气相沉积、溅镀与蚀刻-Plasma-CVD--Sputtering-and-Etching---Principles-and-Technology-学行智库

电浆化学气相沉积、溅镀与蚀刻-Plasma-CVD–Sputtering-and-Etching—Principles-and-Technology

Plasma SchematioA partially ionized gascreated by application of anelectric field.Positiveneutralsion/electron pairs areglow(radicals,unreacted gas)Sheathcreated by ionizationdisch...
高通芯片发展规格-学行智库

高通芯片发展规格

W/W/co1anEENdhup upeenQopoestsaamLu us拉SGN-0拉SGPN-WWOS6 OL'SH-S0 SINn富ON是居居JEH EnO ZHO L居
硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚-学行智库

硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚

张志坚,等硅抛光片(CM)市场和技术现状利润逐渐下滑。表1是单位多晶硅消耗的太阳能电池硅片、硅抛光片的产值和产业利润情况。表1太阳能电池硅切片、半导体抛光片单位多品硅消耗的产值和产业利润...